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低功耗MSP430单片机在3V与5V混合系统中的逻辑接口技术 | |||||
收集整理:佚名 来源:本站整理 时间:2009-01-10 22:39:30 点击数:[] ![]() |
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[本篇论文由上帝论文网为您收集整理,上帝论文网http://paper.5var.com将为您整理更多优秀的免费论文,谢谢您的支持] 关键词:单片机 接口电路 微机硬件 MSP430超低功耗微处理器是TI公司推出的一种新型单片机。它具有16位精简指令结构,内含12位快速ADC/Slope ADC,内含60K字节FLASH ROM,2K字节RAM,片内资源丰富,有ADC、PWM、若干TIME、串行口、WATCHDOG、比较器、模拟信号,有多种省电模式,功耗特别小,一颗电池可工作10年。开发简单,仿真器价格低廉,不需昂贵的编程器。 MSP430具有如此多的优点,可以预测在今后会有广泛的应用。但是目前仍有许多5V电池的逻辑器件和数字器件在使用,因此在许多设计中3V(含3.3V)逻辑系统和5V逻辑系统共存,而且不同的电源电压在同一电路板中混用。随着更低电压标准的引进,不同电源电压逻辑器件间的接口问题会在很长一段时间内存在。本文讨论MSP430与单片机中最常用的LSTTL电路、CMOS电路及计算机HCMOS电路的3V和5V系统中逻辑器件间的接口方法。理解这些方法可避免不同电压的逻辑器件接口时出现问题,保证所设计的电路数据传输的可靠性。 在混合电压系统中,不同电源电压的逻辑器件相互接口时会存在三个主要问题:第一是加到输入和输出引脚上的最大允许电压的限制问题;第二是两个电源间电流的互串问题;第三是必须满足的输入转换门限电平问题。器件对加到输入脚或输出脚的电压通常是有限制的。这些引脚有二极管或分离元件接到Vcc。如果接入的电压过高, 2 可用5V容限输入的3V逻辑器件 3V的逻辑器件可以有5V输入容限的器件有LVC、LVT、ALVT、LCX、LVX、LPT和FCT3等系列。此外,还有不带总线保持输入的飞利浦ALVC也是5V容限。 2.1 ESD保护电路 3V器件可以有5V的输入容限。一般数字电路的输入端都有一个静电放电(ESD)保护电路。如图1(a)所示,传统的CMOS电路通过接地的二极管D1、D2对负向高电压限幅实现保护,正向高是则由二极管D3箝位。这种电路为了防止电流流向Vcc电源,最大输入电压被限制在Vcc+0.5V。对Vcc为3V的器件来说,当输入端直接与大多数5V器件输出端接口时允许的输入电压太低大多数3V系统加到输入端的电压可达3.6V以上。有些3V系统可以使用两个MOS场效应管或晶体管T1、T2代替二极管D1、D2,如图1(b)所示。T1、T2的作用相当于快速剂纳二极管对高电压限幅。由于去掉了接到Vcc的二极管D3,因此最大输入电压不受Vcc的限制。典型情况下,这种电路的击穿电压在7~10V之间,因此可以适合任何5V系统的输入电压。 由上述分析可知,改进后具有ESD保护电路的3V系统的输入端可以与5V系统的输出端接口。 2.2 总线保护电路 总线保护电路就是有一个MOS场效应管用作上拉或下拉器件,在输入端浮空(高阻)的情况下保护输入端处于最后有效的逻辑电平。图2(a)中的电路为一LVC器件总线保护电路,采取改进措施而使其输入端具有5V的容限。其基本原理如下:P沟道MOS场效应管具有一个内在的寄生二极管,它连接在漏极和衬底之间,通常源极与衬底是连在一起的,这就限制了输入电压不能高于Vcc+0.5V。现在的措施是用常闭接点S1将源极与衬底相连,当输入端电压比Vcc高0.5V时,比较器使S2闭合,S1断开,输入端电流不会通过二极管流向Vcc而使输入具有5V的容限。图2(b)是LVT和LAVT器件总线保持电路的例子。这种电路用了一个串联的肖特基二极管D,消除了从输入到Vcc的电流通路,从而可以承受5V输入电压。对于3V的总体保持LVC、LVT和ALVT系列器件可以承受5V的输入电压。但对于3V的ALVC、VCX等系列器件则不能,它们的输入电压被限制在Vcc+0.5V。 图4是一种带保护电路的CMOS器件输出电路。当输出端电压高于Vcc时,比较器使S1开路,S2闭合,电流通路消失。这样在三态方式时就能与5V器件相接。 2.3 biCMOS输出电路 LVT和ALVT器件的biCMOS输出电路如图5所示。它用双极NPN晶体管和CMOS场效应管来获得输出电压摆幅达到电源电压的要求。电流不会通过NPN双极晶体管回流到Vcc,但在P沟道MOS场效应管中的内在二极管仍然会形成一条从输出端到Vcc的电流通路(为了简化,图5中没有画出该二极管)。因此这种电路不能接高于Vcc的电压。 Tags: |
提供人:佚名 | |
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