首 页 用户登录 | ![]() |
|||
|
|||
按字母检索 | A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z |
按声母检索 | A | B | C | D | E | F | G | H | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | W | X | Y | Z | 数字 | 符号 |
|
![]() |
您的位置: 5VAR论文频道 → 论文中心 → 理工论文 → 电子通信 |
|
|||||
铁电存储器在仪表中的应用 | |||||
收集整理:佚名 来源:本站整理 时间:2009-01-11 00:03:17 点击数:[] ![]() |
|||||
[本篇论文由上帝论文网为您收集整理,上帝论文网http://paper.5var.com将为您整理更多优秀的免费论文,谢谢您的支持] 关键词:存贮器;FM24C256;AT24C256;EEPROM 一. 概述: FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器(FRAM),容量为256KBIT存贮器,它和AT24C256容量等同,总线结构兼容,但FM24C256的性能指标远大于AT24C256。在存贮器领域中,FM24C256应用逐渐被推广和认可,尤其是大容量存贮器,它的优良特性远高于同等容量的EEPROM。在电子式电能表行业中,数据安全保存是最重要的。随着电子表功能的发展,保存的数据量越来越大,这就需要大容量的存储器,而大容量的EEPROM性能指标不是很高,尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256在电能表中的使用,会提高电能表的数据安全存贮特性。 二. 铁电存贮器(FRAM)FM24C256的特性: 传统半导体记忆体有两大体系:易失性记忆体(volatile memory)和非易失性记忆体(non-volatile memory)。 FM24C256是一个256Kbit 的FRAM,总线频率最高可达1MHz,10亿次以上的读写次数,工耗低。与典型的EEPROM AT24C256相比较,FM24C256可跟随总线速度写入,无须等待时间,而AT24C256必须等待几毫秒(ms)才能进行下一步写操作。FM24C256可读写10亿次以上,几乎无限次读写。而AT24C256只有10万之一百万次读写。另外,AT24C256读写能量高出FM24C256有2,500倍。从比较中看出,FM24C256包含了RAM技术优点,同时拥有ROM技术的非易失性特点。 在仪表设计中,数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表,它在运行期间时刻都在记录数据, 写子程序:
SENDSTART: 发送起始位子程序 SENDCOM: 发送命令子程序 读子程序: MOV A,D ;D中存放所读单元高地址 Tags: |
提供人:佚名 | |
【返回上一页】【打 印】【关闭窗口】 |
![]() |
5VAR论文频道 |
![]() |
5VAR论文频道 |
![]() |
关于本站 -
网站帮助 -
广告合作 -
下载声明 -
网站地图
Copyright © 2006-2033 5Var.Com. All Rights Reserved . |