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串行FLASHSSF1101在单片机 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
收集整理:佚名 来源:本站整理 时间:2009-01-10 22:55:08 点击数:[] ![]() |
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[本篇论文由上帝论文网为您收集整理,上帝论文网http://paper.5var.com将为您整理更多优秀的免费论文,谢谢您的支持] 关键词:串行FLASH 单片机 IC卡 1 概述 对于野外移动工作或不便与上位机通信的单片机数据采集系统,使用一个大容量、可插拔、便于更换和携带的智能卡来存储采集到的数据,是一个较好的数据存储方案。SSF1101是上海新茂半导体有限公司生产的4Mbit串行接口可编程闪速存储器,该器件采用SPI串口模式与单片机或微机通信,无需任何外围元件。利用该器件提供的IC卡封装形式,可非常方便地和单片机系统进行接口以构成大容量的数据存储装置。同时,该芯片具有封装尺寸小、集成度高、电压低、存储容量大、接口方式简单等优点,在商业和工业领域具有广泛的应用前景。 SSF1101是一个4Mbit的串行FLASH存储器,具有4根器件识别脚,可在一个系统中最多能扩展16片,其总存储容量可达8M字节,该器件的性能特点如下: ●SPI串行数据接口符合SPI标准; ●器件内具有4M Bit 闪速存储器,512页,每页1024字节; ●内置4位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片; ●带有双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据,且读取/写入地址自动递增; ●高速页面编程,典型时间为20ms; ●高速页面到数据缓冲器的传输典型时间为100μs; ●页面擦除典型时间为10ms; ●器件擦除典型时间为2s; ●内置擦除/编程时序逻辑; ●可硬件写保护; ●时钟频率最高达10MHz; ●采用单5V电源工作,并有低电压2.7~3.5V可供选择; ●低功耗,休眠电流典型值为18μA; ●与CMOS电平和TTL输入/输出电平兼容; ●工作温度很宽(商用); ●内置上电复位电路; ●在数据缓冲器和主Flash之间进行传送或比较时,可对未用的数据缓冲器和状态寄存器进行操作。 SSF1101采用32脚TSOP封装和IC卡封装两种形式,其TSOP封装外形及引脚排列如图1(a)所示,IC卡的触点配置如图1(b)所示。器件的引脚功能说明见表1所列。
3 工作原理 SSF1101具有4194304位主存储单元,分成512页面、每页面1024个字节。此外SSF1101还包含有2个SRAM缓冲器,每个缓冲器有1024个字节,当主存储器内的1页正被编程时,缓冲器照样能接收输入数据。SSF1101使用SPI串口访问它的数据,因而硬件设计十分方便,系统可靠性很强,并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间,不需要高电压,而编程电压仍为电源电压。 图2所示是SSF1101存储器的内部结构框图。 SSF1101通过简单的SPI串行口进行数据存取,器件的操作由主机发出的指令控制,一个有效指令包括一字节4位操作码、4位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置。当CS为0时,主机向器件SCK端发送时钟信号,以引导操作码和地址从SI端写入到器件中。所有指令地址和数据都是先送高位。SSF1101的操作命令如表2所列。表中的X可取任意值,它对器件操作没有影响。
3.1 状态寄存器(SR) SSF1101具有一个8bit的状态寄存器,可用于指示器件的工作状态。该寄存器可通过“状态寄存器读”命令读出寄存器中的内容。寄存器内容及定义 Tags: |
提供人:佚名 | |
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