程，也可利用内部参考电压(１．２５Ｖ)来编程。适配器电流和电池充电电流可分别利用低值电阻Ｒ５和Ｒ６来检测，并被反馈到ＩＣ内部相应的跨导(ｇｍ)放大器上。电池电压则通过Ｒ７和Ｒ９组成的分压器检测，并将检测信号反馈到ＩＣ内部的第三个ｇｍ放大器。

(１)电池充电电压设定

电池充电调整电压ＶＢＡＴ可利用Ｒ７和Ｒ９组成的电阻分压器并通过ＩＣ的ＢＡＴＰ(１３)脚反馈到电池误差放大器，只要ＢＡＴＳＥＴ(９)脚上的电压ＶＢＡＴＳＥＴ大于内部０．２５Ｖ的参考电压，电池充电电压便可设定为：

ＶＢＡＴ＝[(Ｒ７＋Ｒ９)／Ｒ９]·ＶＢＡＴＳＥＴ

(２)电池充电电流设定

电池充电电流ＩＢＡＴ可由ＩＣ脚ＳＲＳＥＴ(５)上的电压ＶＳＲＳＥＴ和传感电阻Ｒ６共同决定，公式如下：

ＩＢＡＴ＝ＶＳＲＳＥＴ／(２５Ｒ６)

上式中，ＶＳＲＳＥＴ的最大值为２．５Ｖ。该电压可通过来自ＶＲＥＦ(５Ｖ)的电阻分压器获得，也可以从键盘控制器ＤＡＣ得到。

图2 bq24700组成的笔记本PC电池充电器电路

    (３)适配器电流设定

适配器电流ＩＡＤＰＴ可通过ＩＣ脚ＡＣＳＥＴ(６)上的电压ＶＡＣＳＥＴ和适配器电流感测电阻Ｒ５来确定：

ＩＡＤＤＰＴ＝ＶＡＣＳＥＴ（２５Ｒ５）

ｄ． 电池耗尽检测

电池耗尽电平可由通过电阻分压器施加到ＩＣ脚ＢＡＴＤＥＰ（４）上的电压来设定。当电池放电过量时，ＡＬＡＲＭ（１９）脚会发出报警信号并输出高电平，而并不关心电源选择。

当电池电压低于已耗尽电平的８０％时，被认为是电池深度放电。当电池耗尽时，ｂｑ２４７００仍会停留在已选择的电源上。但是，ｂｑ２４７０１却会在电池耗尽时，自动切换到适配器电源。表２列出了两种器件的可用选择方式。

表2 bq24700/01的选择方式

３．２ 主要元件选择

ａ． ＭＯＳＦＥＴ选择

ＭＯＳＦＥＴ的选择取决于栅－源电压、输入电压和输入电流。Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ的栅－源耐压至少是２０Ｖ，击穿电压ＢＶＤＳＳ≈ＶＩＮ＋１Ｖ。平均输入电流的计算公式如下：

ＩＩＮ(ａｖｇ)＝[（ＶＯＩＯ）×１．２[／ＶＩＮ

有效值电流由下式确定：

ＩＩＮ(ＲＭＳ)＝ＩＩＮ(ａｖｇ)(１／Ｄ)１／２

式中，Ｄ为占空比。

ｂ． 肖特基二极管Ｄ１的选择

选择肖特基二极管Ｄ１时，要求Ｄ１必须能承受输入电压ＶＩＮ。

ｃ． 电感的选择

为防止电流斜坡太陡而导致过大的纹波，电路中电感器的电感值不能过小，推荐按下式选取：

Ｌ＝[(ＶＩＮ－ＶＢＡＴ)ＶＢＡＴ]／０．２ｆｓＩＦＳＶＩＮ

式中，ｆｓ为开关频率，ＩＦＳ为开关电流。